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湖人半导体（深圳）有限公司
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产品信息
FDPF3860T产品概述
该N沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的 PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。
FDPF3860T产品特性
RDS(on) = 29.1mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 5.9A
快速开关速度
低栅极电荷
高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
高功率和高电流处理能力
符合 RoHS 标准
FDPF3860T产品应用
家用电器
LCD / LED / PDP电视
同步整流
不间断电源
微型太阳能逆变器
FDPF3860T产品技术参数
通道类型 N
连续漏极电流 20A
漏源电压 100V
漏源电阻值
0.038 Ω
栅阈值电压
2.5V
栅源电压
±20 V
封装类型
TO-220F
安装类型
通孔
引脚数目
3
通道模式
增强
类别
Trench MOSFET
功率耗散
33.8 W
配置
单
尺寸
10.36 x 4.9 x 16.07mm
长度
10.36mm
宽度
4.9mm
每片芯片元件数目
1
典型栅极电荷@Vgs
23 nC@ 10 V
典型输入电容值@Vds
1350 pF@ 25 V
典型关断延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
15 ns
工作温度
-55 °C
高度
16.07mm
工作温度
+150 °C
